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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.41 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-243 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 320 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1302S-TD-E | ONSEMI |
类似代替  |
Bipolar Transisitor -20V, -5A, Low VCE(sat) PNP Single PCP |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1306 | ROHM |
获取价格 |
1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE |
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| 2SB1306/P | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/E |
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| 2SB1306/PQ | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SB1306/R | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/E |
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| 2SB1306P | ROHM |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, TO-92, TO-92L, 3 PIN |
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| 2SB1306Q | ROHM |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, TO-92, TO-92L, 3 PIN |
|
| 2SB1306R | ROHM |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, TO-92, TO-92L, 3 PIN |
|
| 2SB1306T103 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92L, 3 PIN |
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| 2SB1306T103/P | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SB1306T103/PQ | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/E |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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