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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 2 weeks |
| 风险等级： | 1.41 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-243 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 320 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1302T-TD-E | ONSEMI |
类似代替  |
Bipolar Transisitor -20V, -5A, Low VCE(sat) PNP Single PCP |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1302T | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247 |
|
| 2SB1302-T | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SB1302T-TD-E | ONSEMI |
获取价格 |
Bipolar Transisitor -20V, -5A, Low VCE(sat) PNP Single PCP |
|
| 2SB1306 | ROHM |
获取价格 |
1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE |
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| 2SB1306/P | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SB1306/PQ | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SB1306/R | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SB1306P | ROHM |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, TO-92, TO-92L, 3 PIN |
|
| 2SB1306Q | ROHM |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, TO-92, TO-92L, 3 PIN |
|
| 2SB1306R | ROHM |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, TO-92, TO-92L, 3 PIN |
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