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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 16 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz | VCEsat-Max： | 0.35 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1301ZQ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| 2SB1301ZR | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| 2SB1302 | TYSEMI |
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Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. |
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| 2SB1302 | SANYO |
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High-Current Switching Applications |
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| 2SB1302 | KEXIN |
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PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors |
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| 2SB1302 | ONSEMI |
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Bipolar Transisitor -20V, -5A, Low VCE(sat) PNP Single PCP |
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| 2SB1302_10 | SANYO |
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High-Current Switching Applications |
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| 2SB1302_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1302R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247 |
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| 2SB1302-R | KEXIN |
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PNP Transistors |
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