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2SB1295

更新时间： 2024-01-28 20:21:11

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描述
Very small-sized package permitting sets to be made smaller and slimer.

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2SB1295 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	VCEsat-Max：	0.2 V
Base Number Matches：	1

2SB1295 数据手册

Product specification

2SB1295

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Large current capacity.

Low collector to emitter saturation voltage.

Very small-sized package permitting sets to be made

smaller and slimer.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-15

-5

-0.8

Collector current (pulse)

Collector dissipation

I^CP

-3

P^C

200

Jumction temperature

Storage temperature

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current Gain

Symbol

Testconditons

Min

135

Typ

Max

-100

600

Unit

I^CBO

I^EBO

h^FE

f^T

V^CB= -12V , I^E= 0

V^EB= -4V , I^C= 0

V^CE= -2V , I^C= -50mA

V^CB= -10V , f = 1MHz

Gain bandwidth product

Output capacitance

300

MHz

C^ob

VCE(sat) IC = -5mA , IB = -0.5mA

V^CE(sat)I^C= -400mA , I^B= -20mA

V^BE(sat)I^C= -400mA , I^B=-20mA

V^(BR)CBOI^C= -10ìA , I^E= 0

-10

-25

Collector-emitter saturation voltage

-100 -200

-0.9 -1.2

Base-to-emitter saturation voltage

Collector-to-base breakdown voltage

Collector-to-emitter breakdown voltage

Emitter-to-base breakdown voltage

-15

-5

I^C= -1mA , R^BE=

I^E= -10ìA , I^C= 0

V^(BR)CEO

V^(BR)EBO

hFE Classification

Marking

Rank

hFE

135 270

200 400

300 600

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SB12956	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-236VAR
2SB12957	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-236VAR
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2SB1296S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SPAK
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