2SB1294D

更新时间： 2024-02-24 22:44:38

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Transistor

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2SB1294D 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SB1294D 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB1294

DESCRIPTION

·High Collector Current:: I_C= -5A

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= -1.0V(Max)@I_C= -3A

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SD1897

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-5

I_CM

-10

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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