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2SB1288R

更新时间： 2024-02-03 04:34:53
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关
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3页 50K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-92

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2SB1288R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SB1288R 数据手册

 浏览型号2SB1288R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1288R的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SB1288  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency power amplification  
For DC-DC converter  
Unit: mm  
5.0±0.2  
4.0±0.2  
For stroboscope  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
●
●
Large collector current IC.  
Allowing supply with the radial taping.  
0.7±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
0.45+–00..115  
1.27  
0.45+–00..115  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
1.27  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–30  
–20  
V
–7  
V
1
2 3  
1:Emitter  
2:Collector  
3:Base  
TO–92NL Package  
–10  
A
2.54±0.15  
IC  
–5  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–100  
Unit  
nA  
nA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = –10V, IE = 0  
IEBO  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Forward current transfer ratio  
VCEO  
VEBO  
IC = –1mA, IB = 0  
–20  
–7  
IE = –10µA, IC = 0  
V
*1  
hFE  
VCE = –2V, IC = –2A*2  
IC = –3A, IB = –0.1A*2  
VCB = –6V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –20V, IE = 0, f = 1MHz  
90  
625  
–1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
120  
Collector output capacitance  
Cob  
85  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE  
Rank  
hFE  
P
Q
R
90 ~ 135  
120 ~ 205  
180 ~ 625  
1
123

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