2SB1286

更新时间： 2024-01-24 13:46:28

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	222K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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2SB1286 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1286 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

2SB1286

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

:h_FE= 1000(Min)@ I_C= -1A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

:V_(BR)CEO= -100V(Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage

:V_CE(sat)= -1.5V(Max)@ I_C= -1A

·Complement to Type 2SD1646

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier and low speed

switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-8

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-2

I_CM

-3

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55~150

isc Website：www.iscsemi.cn

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