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2SB1285

更新时间： 2024-02-24 14:37:24
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新电元 - SHINDENGEN 晶体晶体管达林顿晶体管斩波器局域网
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9页 416K
描述
Darlington Transistor(-15A PNP)

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2SB1285 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1500
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：100 W
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：CHOPPER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHz最大关闭时间（toff）：6000 ns
最大开启时间（吨）：1000 nsVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

2SB1285 数据手册

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SHINDENGEN  
DarlingtonTransistor  
OUTLINE DIMENSIONS  
Case : MTO-3P  
2SB1285  
Unit : mm  
(T15J10)  
-15A PNP  
RATINGS  
●Absolute Maximum Ratings  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Storage Temperature  
Tstg  
Tj  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-55～+150  
+150  
-100  
-100  
-7  
℃
℃
V
V
V
Junction Temperature  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current DC  
-15  
A
Collector Current Peak  
Base Current DC  
ICP  
IB  
-22  
-1  
A
A
Base Current Peak  
IBP  
-2  
A
Total Transistor Dissipation  
Mounting Torque  
PT  
TOR  
Tc = 25℃  
100  
0.8  
W
N･m  
(Recommended torque : 0.5N･m）  
●Electrical Characteristics (Tc=25℃)  
Item  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = -100V  
Ratings  
Max -0.1  
Max -0.1  
Max -5  
Unit  
Collector Cutoff Current  
mA  
ICEO  
VCE = -100V  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
IEBO  
VEB = -7V  
mA  
hFE  
VCE = -3V, IC = -10A  
Min 1,500  
Max 15,000  
Max -1.5  
Max -2.0  
Max 1.25  
TYP 20  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Saturation Voltage  
Thermal Resistance  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
θjc  
IC = -10A  
V
V
℃/W  
MHz  
IB = -20mA  
Junction to case  
VCE = 10V, IC = -1.5A  
Transition Frequency  
fT  
ton  
Turn on Time  
Max 1  
IC = -15A  
Storage Time  
Fall Time  
ts  
tf  
IB1 = IB2 = -20mA  
RL = 2Ω  
Max 4  
Max 2  
μs  
VBB2 = -4V  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
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