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2SB1283

更新时间： 2024-01-06 05:25:38
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新电元 - SHINDENGEN 晶体晶体管达林顿晶体管斩波器局域网
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9页 260K
描述
Darlington Transistor(-7A PNP)

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2SB1283 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.85Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：1500JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：30 W最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：CHOPPER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
最大关闭时间（toff）：6000 ns最大开启时间（吨）：1000 ns
VCEsat-Max：1.5 VBase Number Matches：1

2SB1283 数据手册

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SHINDENGEN  
Darlington Transistor  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SB1283  
Case : ITO-220  
(TP7J10)  
Unit : mm  
-7A PNP  
RATINGS  
●Absolute Maximum Ratings  
Item  
Storage Temperature  
Symbol  
Tstg  
Tj  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Conditions  
Ratings  
-55～+150  
+150  
Unit  
℃
℃
V
V
V
Junction Temperature  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
-100  
-100  
-7  
-7  
Collector Current DC  
I
A
C
Collector Current Peak  
Base Current DC  
I
I
-10  
-0.5  
A
A
CP  
B
Base Current Peak  
I
-1  
30  
2
A
W
BP  
Total Transistor Dissipation  
PT  
Tc = 25℃  
Dielectric Strength  
M ounting Torque  
Vdis  
TO R  
Terminals to case AC 1 minute  
kV  
N･m  
(Recommended torque : 0.3N･m）  
0.5  
●Electrical Characteristics (Tc=25℃)  
Item  
Symbol  
Conditions  
VCB = -100V  
Ratings  
M ax -0.1  
M ax -0.1  
M ax -5  
Unit  
Collector Cutoff Current  
I
mA  
CBO  
I
VCE = -100V  
CEO  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
VEB = -7V  
mA  
EBO  
hFE  
VCE = -3V, IC = -3A  
M in 1,500  
M ax 15,000  
M ax -1.5  
M ax -2.0  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
θjc  
I = -3A  
C
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage  
Thermal Resistance  
I = -5mA  
B
Junction to case  
M ax 4.16 ℃/W  
TYP 20  
M ax 1  
Transition Frequency  
Turn on Time  
f
ton  
VCE = 10V, IC = 0.7A  
M Hz  
T
I = -3A  
C
Storage Time  
Fall Time  
I = I = -5mA  
B2  
ts  
M ax 4  
M ax 2  
μs  
B1  
RL = 10Ω  
tf  
VBB2 = -4V  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
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