2SB1273

更新时间： 2024-11-18 07:30:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	48K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1273 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SB1273 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1273

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Designed for use in low frequency

power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

-60

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

-60

-6

Open collector

-3

I_CM

P_C

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-8

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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