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2SB1272

更新时间： 2024-11-21 06:17:35

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	139K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1272 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81

2SB1272 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1272

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·For low frequency power amplifier

applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter -base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-100

-7

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-2

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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