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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.49 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1245RF | HITACHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB1245RR | HITACHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB1245TZ | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SB1250 | ETC |
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| 2SB1250P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186 |
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| 2SB1250Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186 |
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| 2SB1251 | ETC |
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| 2SB1251P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 90V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
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| 2SB1251Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 90V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
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| 2SB1252 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification) |
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