2SB1182

更新时间： 2024-02-18 10:32:33

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WEITRON		晶体晶体管
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5页	968K
描述
PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS

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2SB1182 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	10 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1182 数据手册

2SB1182

PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS

P b

Lead(Pb)-Free

1.BASE

2.COLLECTOR

3.EMITTER

D-PAK(TO-252)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25˚C)

Rating

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

CBO

-40

-32

-5.0

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CEO

EBO

-2.0

1.5

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

+150

˚C

-55 to +150

Storage Temperature Range

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T =25˚Cunless otherwise noted)

Min

Typ

Parameter

Symbol

Max

Unit

Collector-Base Breakdown Voltage

I =-50µA

-40

CBO

CEO

EBO

CBO

EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I =-1.0mA

-32

Emitter-Base Breakdown Voltage

I =-50µA

-5.0

-1.0

µA

=-20V

=-4.0V

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

1/5

30-Nov-07

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