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2SB1115A

更新时间: 2024-09-28 22:45:03
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日电电子 - NEC 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 231K
描述
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

2SB1115A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.13Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzBase Number Matches:1

2SB1115A 数据手册

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