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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-62 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1114ZM-T1-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
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| 2SB1114ZM-T1-AZ | RENESAS |
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2000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN |
|
| 2SB1114ZM-T2 | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI |
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| 2SB1114ZM-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89 |
|
| 2SB1114ZM-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN |
|
| 2SB1115 | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
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| 2SB1115 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Transistor |
|
| 2SB1115 | TYSEMI |
获取价格 |
World standard miniature package. Low VCE(sat): VCE(sat)=-0.2V at 1A |
|
| 2SB1115_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
|
| 2SB1115A | KEXIN |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Transistor |
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