2SB1063

更新时间： 2024-09-23 22:45:03

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管
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描述
For High Power Amplification

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2SB1063 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1063 数据手册

Power Transistors

2SB1063

Silicon PNP triple diffusion planar type

For high power amplification

Complementary to 2SD1499

Unit: mm

10.0 0.2

5.5 0.2

4.2 0.2

2.7 ^0.2

■ Features

φ 3.1 0.1

• Extremely satisfactory linearity of the forward current transfer ratio h_FE

• Wide safe operation area

• High transition frequency f_T

1.3 0.2

• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw

1.4 0.1

+0.2

–0.1

0.5

0.8 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

2.54 0.3

5.08 0.5

Parameter

Symbol

Rating

−100

−5

Unit

1: Base

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

2: Collector

3: Emitter

EIAJ: SC-67

2 3

TO-220F-A1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−5

Peak collector current

Collector power dissipation

−8

T_a= 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Base-emitter voltage

Symbol

V_BE

Conditions

V_CE= −5 V, I_C= −3 A

V_CB= −100 V, I_E= 0

V_EB= −3 V, I_C= 0

Min

Typ

Max

−1.8

−50

Unit

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_CBO

µA



I_EBO

h_FE1

V_CE= −5 V, I_C= −20 mA

V_CE= −5 V, I_C= −1 A

V_CE= −5 V, I_C= −3 A

h_FE2

200

h_FE3

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= − 0.3 A

−2

MHz

f_T

V_CE= −5 V, I_C= − 0.5 A, f = 1 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

Collector output capacitance

C_ob

170

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE2

40 to 80

60 to 120

100 to 200

Publication date: February 2003

SJD00039AED

12 3

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