2SB1063

更新时间： 2024-11-12 07:29:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	52K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1063 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SB1063 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1063

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·Complement to type 2SD1499

·Wide area of safe operation

·High f_T

APPLICATIONS

·For high power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-100

-5

UNIT

Open base

Open collector

-5

I_CM

Collector current-peak

-8

T_a=25℃

T_C=25℃

2.0

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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