2SB1037

更新时间： 2024-02-17 12:39:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	168K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SB1037 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	30 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1037 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SB1037

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High allowable collector dissipation.

·Complement to type 2SD1459

APPLICATIONS

·For color TV vertical output,

sound output applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-150

-5

UNIT

Open base

Open collector

-1.5

-3

I_CM

Collector current-peak

2.0

P_C

Collector power dissipation

T_C=25℃

T_j

Junction temperature

Storage temperature

175

℃

T_stg

-55~175

12 3 4

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