2SB1030A

更新时间： 2024-09-21 21:55:19

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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2页	41K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)

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2SB1030A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.88	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1030A 数据手册

Transistor

2SB1030, 2SB1030A

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency amplification

Unit: mm

Complementary to 2SD1423 and 2SD1423A

4.0±0.2

Features

Optimum for high-density mounting.

■

●

Allowing supply with the radial taping.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

–30

Unit

marking

Collector to

2SB1030

2SB1030A

2SB1030

V_CBO

base voltage

Collector to

–60

–25

V_CEO

emitter voltage 2SB1030A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–50

1.27 1.27

2.54±0.15

V_EBO

I_CP

I_C

–7

–1

1:Emitter

2:Collector

3:Base

– 0.5

300

EIAJ:SC–72

New S Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

– 0.1

–1

Unit

µA

V_CB= –20V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= –20V, I_B= 0

µA

Collector to base

voltage

2SB1030

2SB1030A

–30

–60

–25

–50

–7

V_CBO

I_C= –10µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SB1030

V_CEO

V_EBO

I_C= –2mA, I_B= 0

voltage

2SB1030A

Emitter to base voltage

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –10V, I_C= –150mA^*2

V_CE= –10V, I_C= –500mA^*2

I_C= –300mA, I_B= –30mA^*2

340

– 0.6

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

– 0.35

200

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

85 ~ 170

120 ~ 240

170 ~ 340

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2SB1030A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SB1030	PANASONIC	类似代替	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SA1512	PANASONIC	功能相似	Silicon PNP epitaxial planer type
2SB643	PANASONIC	功能相似	For low-frequency general amplification

与2SB1030A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1030AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SPAK
2SB1030AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SPAK
2SB1030AS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SPAK
2SB1030Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SPAK
2SB1030R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SPAK
2SB1030S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SPAK
2SB1031	HITACHI	获取价格	SILICON NPN EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER HIGH CURRENT SWITCHING
2SB1031K	HITACHI	获取价格	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1435K
2SB1032	HITACHI	获取价格	Silicon PNP Triple Diffused
2SB1032(K)	HITACHI	获取价格	Silicon PNP Triple Diffused

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