2SB1016R

更新时间： 2024-09-19 13:04:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2SB1016R 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1016

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High breakdown voltage

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SD1407

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-100

-5

UNIT

Open base

Open collector

-5

I_B

Base current

-0.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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