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2SB0948AQ

更新时间： 2024-11-25 23:20:03

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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-220AB

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Power Transistors

2SB0948, 2SB0948A (2SB948, 2SB948A)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For low-voltage switching

10.0 0.ꢀ

5.5 0.ꢀ

4.ꢀ 0.ꢀ

ꢀ.7 ^0.ꢀ

Complementary to 2SD1445 and 2SD1445A

φ ꢁ.1 0.1

I Features

•

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

High-speed switching

Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw

1.ꢁ 0.ꢀ

1.4 0.1

+0.ꢀ

–0.1

0.5

0.8 0.1

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

ꢀ.54 0.ꢁ

5.08 0.5

Parameter

Symbol

Rating

−40

Unit

2SB0948

2SB0948A

2SB0948

2SB0948A

V_CBO

Collector to base

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

voltage

−50

ꢀ ꢁ

V_CEO

−20

Collector to

EIAJ : SC-67

TO-220F Package

emitter voltage

−40

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

−5

−20

−10

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

−50

Unit

µA

V_CB= −40 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

I_C= −10 mA, I_B= 0

I_EBO

2SB0948

V_CEO

−20

−40

Collector to emitter

voltage

2SB0948A

Forward current transfer ratio

h_FE1

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A

h_FE2

V_CE= −2 V, I_C= −3 A

260

− 0.6

−1.5

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

I_C= −10 A, I_B= − 0.33 A

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

I_C= −3 A, I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

100

400

0.1

0.5

0.1

MHz

C_ob

t_on

µs

Storage time

t_stg

µs

Fall time

t_f

µs

Note) : Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.

12 3 4

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