2SB0947

更新时间： 2024-11-25 22:45:03

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For Low-Voltage Switcing

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2SB0947 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz

2SB0947 数据手册

Power Transistors

2SB0947 (2SB947), 2SB0947A (2SB947A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-voltage switcing

Unit: mm

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• High-speed switching

10.0 0.2

5.5 0.2

4.2 0.2

2.7 ^0.2

• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

φ 3.1 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−40

Unit

1.3 0.2

1.4 0.1

2SB0947

2SB0947A

2SB0947

2SB0947A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

+0.2

–0.1

0.5

−50

0.8 0.1

V_CEO

−20

Collector-emitter voltage

(Base open)

2.54 0.3

5.08 0.5

−40

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

1: Base

2: Collector

3: Emitter

EIAJ: SC-67

Collector current

Peak collector current

Collector power

I_C

I_CP

P_C

−10

2 3

−15

TO-220F-A1 Package

dissipation

T_a= 25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−20

−40

Typ

Max

Unit

2SB0947

2SB0947A

2SB0947

2SB0947A

V_CEO

I_C= −10 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

I_CBO

V_CB= −40 V, I_E= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−50

µA

Collector-base cutoff

current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_EBO

h_FE1

µA

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A

V_CE= −2 V, I_C= −2 A



h_FE2

260

− 0.6

−1.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −7 A, I_B= − 0.23 A

V_BE(sat)I_C= −7 A, I_B= − 0.23 A

f_T

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

150

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Turn-on time

Storage time

Fall time

t_on

t_stg

t_f

I_C= −2 A, I_B1= −66 mA, I_B2= 66 mA

V_CC= −20 V

0.1

0.5

0.1

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE2

60 to 120

90 to 180

130 to 260

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: April 2003

SJD00026BED

12 3 4

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