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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB0942R
2SB0942R PDF预览

2SB0942R

更新时间： 2024-11-26 13:01:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN

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2SB0942R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

2SB0942R 数据手册

 浏览型号2SB0942R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB0942R的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SB0942 (2SB942), 2SB0942A (2SB942A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-frequency power amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD1267, 2SD1267A  
10.0 0.2  
5.5 0.2  
4.2 0.2  
2.7 0.2  
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
• Large collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw  
φ 3.1 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
1.3 0.2  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
1.4 0.1  
2SB0942  
2SB0942A  
2SB0942  
2SB0942A  
VCBO  
−60  
V
+0.2  
–0.1  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
0.5  
0.8 0.1  
−80  
VCEO  
−60  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
2.54 0.3  
5.08 0.5  
−80  
1: Base  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
−5  
V
A
2: Collector  
3: Emitter  
EIAJ: SC-67  
1
2 3  
Collector current  
Peak collector current  
Collector power  
IC  
ICP  
PC  
−4  
−8  
A
TO-220F-A1 Package  
40  
W
dissipation  
Ta = 25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−60  
−80  
Typ  
Max  
Unit  
2SB0942  
VCEO  
IC = −30 mA, IB = 0  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
2SB0942A  
Base-emitter voltage  
VBE  
ICES  
VCE = −4 V, IC = −3 A  
VCE = −60 V, VBE = 0  
VCE = −80 V, VBE = 0  
VCE = −30 V, IB = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
−2  
V
2SB0942  
−400  
−400  
−700  
−1  
µA  
Collector-emitter  
cutoff current (E-B short)  
2SB0942A  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
ICEO  
IEBO  
µA  
mA  
*
hFE1  
VCE = −4 V, IC = −1 A  
VCE = −4 V, IC = −3 A  
40  
15  
250  
hFE2  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VCE(sat) IC = −4 A, IB = − 0.4 A  
−1.5  
V
MHz  
µs  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = −10 V, IC = − 0.1 A, f = 10 MHz  
30  
0.2  
0.5  
0.2  
IC = −4 A, IB1 = − 0.4 A, IB2 = 0.4 A  
VCC = −50 V  
Storage time  
µs  
Fall time  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
R
Q
P
hFE1  
40 to 90  
70 to 150  
120 to 250  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: February 2003  
SJD00022BED  
1
123

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