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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 3 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA988-P | RENESAS |
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50mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43B, 3 PIN |
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| 2SA990 | NEC |
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PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2SA990-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA990E | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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| 2SA990-E | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA990-E-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA990F | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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| 2SA990-F | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA990-F-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA990P | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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