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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10000 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA937 | ROHM |
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EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTORS |
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| 2SA937 | FOSHAN |
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TO-92 |
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| 2SA937A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-71 |
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| 2SA937A/PR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA937A/Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA937A/QS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA937A/R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA937A/RS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA937AC1/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA937AC1/S | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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