2SA913P

更新时间： 2024-09-25 13:04:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	99K
描述
Transistor

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2SA913P 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SA913P 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA913 2SA913A

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SC1913/1913A

·Large collector power dissipation

·High V_CEO

APPLICATIONS

·Audio frequency high power driver

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-150

-180

-150

-180

-5

UNIT

2SA913

2SA913A

2SA913

2SA913A

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-1

I_CM

P_C

T_j

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-1.5

T_C=25℃

℃

150

T_stg

-55~150

12 3

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