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2SA812M4-T1B

更新时间: 2024-11-20 15:42:31
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 122K
描述
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN

2SA812M4-T1B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-59包装说明:MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.08Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):90
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):180 MHzBase Number Matches:1

2SA812M4-T1B 数据手册

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