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2SA765

更新时间： 2024-11-24 05:56:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	151K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA765 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA765

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Desinged for general-purpose power

amplifier and applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-80

UNIT

Open emitter

Open base

-80

Open collector

-6

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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