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2SA754

更新时间： 2024-11-09 07:29:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	104K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA754 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA754

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -50V(Min)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -1.3V(Max.) @ I_C= -1.5A

·Good Linearity of h_FE

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

-50

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

-4

Collector Current-Continuous

Total Power Dissipation@ T_C=25℃

Junction Temperature

-2

P_C

℃

T_J

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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