Datasheet > 2SA754

2SA754

更新时间： 2024-11-27 07:29:51

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	104K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA754 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA754

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -50V(Min)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -1.3V(Max.) @ I_C= -1.5A

·Good Linearity of h_FE

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

-50

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

-4

Collector Current-Continuous

Total Power Dissipation@ T_C=25℃

Junction Temperature

-2

P_C

℃

T_J

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

中文翻译

下载PDF

与2SA754相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA755	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA755	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA755	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA755	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 100V 0.5A 3-Pin TO-126B-A1
2SA755A	ISC	获取价格	暂无描述
2SA755B	ISC	获取价格	Transistor
2SA755C	ISC	获取价格	Transistor
2SA756	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA756	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA756	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors