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2SA743

更新时间: 2024-11-26 12:47:23
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页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

2SA743 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.58
Is Samacsys:NBase Number Matches:1

2SA743 数据手册

 浏览型号2SA743的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon PNP Power Transistor  
2SA743  
DESCRIPTION  
·Good Linearity of hFE  
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-  
V(BR)CEO= -50V (Min)  
·Complement to Type 2SC1212  
APPLICATIONS  
·Designed for use in low frequency power amplifier  
applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
VALUE  
-50  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
V
V
V
A
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-50  
-4  
Collector Current-Continuous  
-1  
Collector Power Dissipation  
@ Ta=25℃  
0.75  
8
PC  
W
Total Power Dissipation  
@ TC=25℃  
TJ  
Junction Temperature  
150  
-55~150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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