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2SA740

更新时间： 2024-02-01 21:25:16

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	105K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA740 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA740 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA740

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

: V_(BR)CEO= -150V(Min)

·DC Current Gain

: h_FE= 40-140@ I_C= -0.5A

·Complement to Type 2SC1448

APPLICATIONS

·Power amplifier applications.

·Vertical output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

-150

-5

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Emitter Current-Continuous

-1.5

I_E

1.5

Total Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.5

P_C

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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