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2SA715B

更新时间： 2024-02-27 18:23:57

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5页	29K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-126

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2SA715B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.5
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2.5 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
Base Number Matches：	1

2SA715B 数据手册

2SA715

Silicon PNP Epitaxial

ADE-208-852 (Z)

1st. Edition

Sep. 2000

Application

Low frequency power amplifier complementary pair with 2SC1162

Outline

TO-126 MOD

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–35

–5

–2.5

–3

Collector peak current

Collector power dissipation

I_C(peak)

P_C

0.75

°C

P_C*¹

Junction temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Note: 1. Value at T_C= 25°C

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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