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2SA684

更新时间： 2023-12-06 20:09:26
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鲁光 - LGE 双极型晶体管
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3页 690K
描述
双极型晶体管

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2SA684 数据手册

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2SA684  
TO-92L Transistors (PNP)  
TO-92L  
4.700  
5.100  
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
7.800  
8.200  
0.600  
0.800  
0.350  
0.550  
3
13.800  
14.200  
2
1
Features  
1.270 TYP  
2.440  
2.640  
—
—
Automatic insertion by radial taping possible.  
Complementary pair with 2SC1384.  
0.000  
1.600  
0.300  
0.350  
0.450  
3.700  
4.100  
1.280  
1.580  
4.000  
MAXIMUM RATINGS(TA=25℃ unless otherwise noted)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Symbol  
Parameter  
Value  
-60  
Units  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-50  
V
-5  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
-1  
A
PC  
0.75  
150  
W
℃
℃
TJ  
Tstg  
Storage Temperature  
-55-150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃  
unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
MIN  
-60  
-50  
-5  
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CBO IC=-10uA, IE=0  
V(BR)CEO IC=-2mA, IB=0  
V(BR)EBO IE=-10μA, IC=0  
V
V
ICBO  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
VCB=-20V, IE=0  
-0.1  
340  
μA  
VCE=-10V, IC=-500mA  
VCE=-5V, IC=-1A  
85  
50  
DC current gain  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
IC=-500mA, IB=-50mA  
IC=-500mA, IB=-50mA  
VCE=-10V, IE=50mA, f=200MHz  
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  
-0.2  
-0.85  
200  
20  
-0.4  
-1.2  
V
V
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
30  
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
Rank  
Q
R
S
Range  
85-170  
120-240  
170-340  
http://www.lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
mail:lge@lgesemi.com  
123

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