2SA608N

更新时间： 2024-02-17 01:54:37

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TRSYS		晶体晶体管放大器
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1页	64K
描述
Plastic-Encapsulated Transistors

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2SA608N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	280
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	125 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SA608N 数据手册

Transys

Electronics

TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors

2SA608N TRANSISTOR (PNP)

TO-92

FEATURES

Power dissipation

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

P_CM

: 0.5

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM

: -0.15

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -60

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-10µA, I_E=0

Ic=-1mA, I_B=0

MIN

-60

-50

-6

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=-10µA, I_C=0

µA

V_CB=-40V, I_E=0

-0.1

560

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=-5V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE=-6V, I_C=-1mA

160

DC current gain

h_FE(2)

V_CE=-6V, I_C=-0.1mA

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=-100mA, I_B=-10mA

V_CE=-6V, I_C=-10mA

-0.3

-1

MHz

200

C_ob

Collector output capacitance

V_CB=-6V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

160-320

280-560

Marking

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