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2SA3350U

更新时间： 2023-12-06 20:02:11

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功率三极管

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2SA3350U 数据手册

2SA3350U

PNP Silicon Epitaxial Planar Power Transistor

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Collector Current (tp = 300 µs)

-I_CP

0.5 ¹⁾

1 ²⁾

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

250 ¹⁾

125 ²⁾

Thermal Resistance - Junction to Ambient

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated：27/03/2023 Rev:03

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