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2SA1979UF

更新时间： 2024-02-09 06:18:56

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描述
Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage.

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2SA1979UF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SA1979UF 数据手册

SMD Type

Product specification

2SA1979UF

Features

Large collector current.

Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage.

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-40

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

-32

-5

-500

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

200

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

-40

-32

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BV^CBOI^C=-100ìA, I^E=0

BV^CEOI^C=-1mA, I^B=0

BV^EBOI^E=-10ìA, I^C=0

I^CBO

I^EBO

hFE

V^CB=-40V, I^E=0

V^EB=-5V, I^C=0

-0.1

ìA

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

VCE=-1V, IC=-100mA

240

VCE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA

-0.25

V^CE=-6V, I^C=-20mA

200

7.5

MHz

Output capacitance

C^ob

V^CB=-6V, I^E=0, f=1MHz

hFE Classification

Marking

Rank

hFE

70 140

120 240

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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