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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1952TL/P
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2SA1952TL/P

更新时间： 2024-02-26 15:05:22
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SA1952TL/P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：82
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：10 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SA1952TL/P 数据手册

 浏览型号2SA1952TL/P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1952TL/P的Datasheet PDF文件第3页 
2SA1952  
Transistors  
High-speed Switching Transistor (−60V, −5A)  
2SA1952  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) High speed switching. (tf : Typ. 0.15 µs at IC = −3A)  
2) Low VCE(sat). (Typ. −0.2V at IC/IB = −3/−0.15A)  
3) Wide SOA. (safe operating area)  
4) Complements the 2SC5103.  
2SA1952  
5.5  
1.5  
0.9  
C0.5  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−100  
−60  
−5  
−5  
Unit  
V
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
0.8Min.  
1.5  
V
2.5  
A
A(Pulse)  
I
C
Collector current  
9.5  
−10  
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
1
10  
W
W(Tc=25°C)  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
Collector power dissipation  
PC  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
150  
−55~+150  
°C  
°C  
zPackaging specifications and hFE  
Type  
Package  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
2SA1952  
CPT3  
Q
TL  
2500  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Typ.  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
80  
130  
−
−
−
−
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−100  
−60  
−5  
−
−
−
−
−
−
120  
40  
−
−
−
V
V
V
µA  
µA  
V
V
V
V
−
I
I
I
V
C
=
=
=
CB  
EB  
−50µA  
C
E
−1mA  
−50µA  
I
CBO  
−10  
−10  
−0.3  
−0.5  
−1.2  
−1.5  
270  
−
−
−
0.3  
1.5  
0.3  
=
=
=
=
=
=
−100V  
−5V  
−3A/ −0.15A  
−4A/ −0.2A  
−3A/ −0.15A  
−4A /−0.2A  
I
EBO  
V
Emitter cutoff current  
I
I
I
I
C
/I  
/I  
/I  
/I  
B
V
CE(sat)  
BE(sat)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
C
C
C
B
B
B
V
h
FE  
1
2
V
V
V
V
I
I
CE  
=
=
=
=
−2V , I  
−2V , I  
−10V , I  
−10V , I  
C
=
=
E
−1A  
−3A  
hFE  
−
CE  
CE  
C
f
T
MHz  
pF  
µs  
µs  
µs  
=
0.5A , f  
= 30MHz  
1MHz  
Transition frequency  
Output capacitance  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
Cob  
ton  
tstg  
tf  
CB  
E
=
0A , f  
=
C
=
−3A , R  
−IB2 −0.15A  
CC −30V  
L = 10Ω  
−
−
−
−
B1  
=
=
V
Rev.A  
1/2  
123

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