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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1952P | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-263AB |
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| 2SA1952Q | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-263AB |
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| 2SA1952R | SWST | 功率三极管 |
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| 2SA1952TL/P | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SA1952TL/PQ | ROHM | 暂无描述 |
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| 2SA1952TL/Q | ROHM | 暂无描述 |
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