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2SA1948

更新时间： 2024-01-09 14:34:54

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描述
High fT fT=200MHz typ, low Cob Cob=3.5pF typ Small package for mounting

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技术参数
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2SA1948 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1948 数据手册

SMD Type

Product specification

2SA1948

Features

High f^Tf^T=200MHz typ, low C^obC^ob=3.5pF typ

Small package for mounting

High voltage V^CEO=120V

High collector dissipation Pc=500mW

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-120

Unit

-120

-5

-100

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

500

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V ^{(BR) CBO}I^C= -10 ìA, I^E= 0

V ^{(BR) CEO}

Testconditons

Min

-120

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I^C= -1 mA,R^BE=

V ^{(BR) EBO}I^E= -10 ìA, I^C= 0

I^CBO

I^EBO

h^FE

V^CB= -100 V, I^E= 0

V^EB= -4 V, I^C= 0

-0.1

800

ìA

Emitter cut-off current

DC current gain

V^CE= -10 V, I^C= -10 mA

150

Collector-emitter saturation voltage

Gain band width product

V^CE(sat)I^C= -50 mA, I^B= -2.5 mA

-0.17 -0.6

200

VCE = -10 V, IE = 10 mA

V^CB=-10V,I^E=0,f=1MHz

MHz

Collector output capacitance

C^ob

3.5

hFE Classification

Marking

Rank

ACE

ACF

ACG

hFE

150 300

250 500

400 800

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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