Datasheet > 2SA1907O

2SA1907O

更新时间： 2024-09-24 21:21:07

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		/
页数	文件大小	规格书
1页	28K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM100, TO-3PF, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1907O 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FM100, TO-3PF, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1907O 数据手册

2 S A1 9 0 7

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC5099)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions FM100(TO3PF)

(Ta=25°C)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

Ratings

–10max

–80min

50min

Symbol

I^CBO

Unit

µA

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Unit

Conditions

V^CB=–80V

±0.2

5.5

±0.2

15.6

±0.2

3.45

–80

IEBO

V^EB=–6V

–6

V(BR)CEO

hFE

I^C=–50mA

±0.2

ø3.3

–6

–3

V^CE=–4V, IC=–2A

I^C=–12A, IB=–0.2A

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

VCE(sat)

–0.5max

20typ

MHz

60(Tc=25°C)

150

°C

1.75

2.15

0.8

COB

150typ

Tstg

–55 +150

hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)

+0.2

-0.1

1.05

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

4.4

Weight : Approx 6.5g

a. Part No.

b. Lot No.

V^BB2

(V)

ton

(µs)

VCC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

I^B1

(A)

I^B2

(A)

tstg

(µs)

0.18typ

–30

–3

–10

–0.3

0.3

1.10typ 0.21typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–6

–3

–5

–4

–3

–2

–1

–4

–2

–50mA

–30mA

–20mA

–1

I^B=–10mA

IC=–6A

–4A

–2A

–1

–2

–3

–4

–0.5

–1.0

–1.5

–1

–1.5

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

300

125˚C

25˚C

Typ

–30˚C

100

0.5

0.3

–0.02

–0.1

–0.5

–1

–5 –6

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.02

–0.1

–0.5

–1

–5 –6

Collector Current I^C(A)

Collector Current IC(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–20

–10

–5

Typ

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

3.5

0.02

–0.1

–5

0.05 0.1

0.5

5 6

–10

–50

–100

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

中文翻译

下载PDF

与2SA1907O相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1907P	ISC	获取价格	Transistor
2SA1907Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SA1907Y	ISC	获取价格	Transistor
2SA1908	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1908	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1908	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1908	SANKEN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SA1908	NJSEMI	获取价格	Silicon PNP Power Transistor
2SA1908_07	SANKEN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
2SA1908O	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,

与2SA1907O相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

6
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

11
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

79
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1907O

2SA1907O 技术参数

2SA1907O 数据手册

与2SA1907O相关器件

与2SA1907O相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1907O

2SA1907O 技术参数

2SA1907O 数据手册

与2SA1907O相关器件

与2SA1907O相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？