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2SA1907

更新时间： 2024-11-16 22:52:39
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1907 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3PF
包装说明：TO-3PF, FM100, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.34外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SA1907 数据手册

  
2 S A1 9 0 7  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC5099)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
(Ta=25°C)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
2SA1907  
2SA1907  
Symbol  
ICBO  
Unit  
µA  
µA  
V
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Unit  
Conditions  
VCB=–80V  
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
–80  
–10max  
–10max  
–80min  
50min  
V
–80  
IEBO  
V
VEB=–6V  
–6  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–50mA  
V
±0.2  
ø3.3  
–6  
–3  
VCE=–4V, IC=–2A  
IC=–12A, IB=–0.2A  
VCE=–12V, IE=0.5A  
VCB=–10V, f=1MHz  
A
a
b
VCE(sat)  
fT  
–0.5max  
20typ  
V
MHz  
pF  
IB  
A
PC  
60(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
COB  
150typ  
Tj  
Tstg  
to  
–55 +150  
to  
to  
to  
hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VBB2  
(V)  
ton  
(µs)  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
B
E
5
0.18typ  
–30  
10  
–3  
–10  
–0.3  
0.3  
1.10typ 0.21typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–6  
–6  
–3  
–5  
–4  
–3  
–2  
–1  
0
–4  
–2  
0
–2  
–50mA  
–30mA  
–20mA  
–1  
IB=–10mA  
IC=–6A  
–4A  
–2A  
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
0
–0.5  
–1.0  
–1.5  
0
–1  
–1.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
5
1
300  
300  
125˚C  
25˚C  
Typ  
–30˚C  
100  
100  
50  
30  
50  
30  
0.5  
0.3  
–0.02  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5 –6  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
–0.02  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5 –6  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
60  
40  
20  
30  
20  
–20  
–10  
–5  
Typ  
–1  
10  
–0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
3.5  
0
0
0.02  
–0.1  
–5  
0.05 0.1  
0.5  
1
5 6  
–10  
–50  
–100  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
35  
1

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2SA1907 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC4300 SANKEN

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