5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92LS |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1905 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| 2SA1905_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Current Switching Applications. |
|
| 2SA1905-O | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SA1906 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SA1906TL | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
|
| 2SA1906TLD | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
|
| 2SA1906TLF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
|
| 2SA1907 | SANKEN |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) |
|
| 2SA1907 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1907 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
