2SA1726

更新时间： 2024-09-27 22:52:35

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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1页	26K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1726 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1726 数据手册

2 S A1 7 2 6

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC4512)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions MT-25(TO220)

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

2SA1726

Symbol

Conditions

2SA1726

Symbol

Unit

µA

Unit

±0.2

4.8

±0.2

10.2

±0.1

2.0

I^CBO

V^CB=–80V

V^CBO

VCEO

VEBO

–80

–10max

–80min

50min

IEBO

V^EB=–6V

–80

V(BR)CEO

hFE

I^C=–25mA

–6

±0.2

ø3.75

V^CE=–4V, IC=–2A

I^C=–2A, IB=–0.2A

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

–6

–3

VCE(sat)

–0.5max

20typ

MHz

50(Tc=25°C)

150

°C

1.35

COB

150typ

+0.2

Tstg

0.65

-0.1

–55 to +150

hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)

2.5

1.4

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

C E

Weight : Approx 2.6g

a. Type No.

VCC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–30

–3

–10

–0.3

0.3

0.18typ

1.10typ 0.21typ

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–6

–3

–4

–2

–4

–2

–50mA

–30mA

–20mA

–1

I^B=–10mA

IC=–6A

–4A

–2A

–1

–2

–3

–4

–0.5

–1.0

–1.5

–0.5

–1

–1.5

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

^j-at Characteristics

–

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

300

100

125˚C

25˚C

Typ

–30˚C

100

0.5

0.4

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.02

–0.1

–0.5

–1

–5 –6

–0.02

–0.1

–0.5

–1

–5 –6

Collector Current I^C(A)

Collector Current IC(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–20

–10

–5

100ms

Typ

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

–0.1

Without Heatsink

0.02

–0.05

0.05 0.1

0.5

5 6

–3

–5

–10

–50

–100

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

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