2SA1725

更新时间： 2024-02-14 00:39:46

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Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1725 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1725 数据手册

2 S A1 7 2 5

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC4511)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions FM20(TO220F)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Symbol

I^CBO

2SA1725

Conditions

Unit

µA

Unit

±0.2

4.2

±0.2

10.1

0.5

V^CB=–80V

–10max

–80min

50min

2.8

–80

IEBO

V^EB=–6V

–80

V(BR)CEO

hFE

I^C=–25mA

–6

±0.2

ø3.3

V^CE=–4V, IC=–2A

I^C=–2A, IB=–0.2A

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

–6

–3

VCE(sat)

–0.5max

20typ

MHz

30(Tc=25°C)

150

°C

COB

150typ

±0.15

1.35

±0.15

Tstg

1.35

–55 to +150

hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)

+0.2

-0.1

0.85

+0.2

-0.1

0.45

±0.2

2.4

2.54

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

±0.2

2.2

R^L

I^C

VBB1

V^BB2

(V)

I^B1

I^B2

ton

tstg

VCC

(V)

Weight : Approx 2.0g

a. Type No.

b. Lot No.

(Ω)

(A)

(V)

(A)

(µs)

C E

–3

–10

–0.3

0.3

0.18typ

1.10typ 0.21typ

–30

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–6

–3

–5

–4

–3

–2

–1

–4

–2

–50mA

–30mA

–20mA

–1

I^B=–10mA

IC=–6A

–4A

–2A

–1

–2

–3

–4

–0.5

–1.0

–1.5

–0.5

–1

–1.5

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

300

100

300

125˚C

25˚C

Typ

–30˚C

100

0.5

0.4

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.02

–0.1

–0.5

–1

–5 –6

–0.02

–0.1

–0.5

–1

–5 –6

Collector Current I^C(A)

Collector Current IC(A)

–

f^TI^ECharacteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–20

–10

–5

Typ

100ms

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

–0.1

Without Heatsink

0.02

–0.05

0.05 0.1

0.5

5 6

–3

–5

–10

–50

–100

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

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2SA1725 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SA1643	SANKEN	功能相似	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220, Plastic/

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