2SA1695P

更新时间： 2024-02-12 13:40:33

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2SA1695P 数据手册

INCHANGE Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistor

2SA1695

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V_(BR)CEO= -140V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SC4468

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-140

-6

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-10

I_B

-4

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

100

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

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