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2SA1694

更新时间： 2024-01-27 19:57:25

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	107K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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2SA1694 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	MT-100, TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.56	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz

2SA1694 数据手册

INCHANGE Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistor

2SA1694

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V_(BR)CEO= -120V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SC4467

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-120

-6

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-8

I_B

-3

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

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