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2SA1693

更新时间： 2024-01-11 11:53:06
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1693 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
Base Number Matches：1

2SA1693 数据手册

  
2 S A1 6 9 3  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC4466)  
Application : Audio and General Purpose  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SA1693  
–10max  
–10max  
–80min  
50min  
Symbol  
2SA1693  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
ICBO  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VCB=–80V  
–80  
V
±0.1  
2.0  
9.6  
IEBO  
VEB=–6V  
–80  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–50mA  
–6  
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
VCE=–4V, IC=–2A  
IC=–2A, IB=–0.2A  
VCE=–12V, IE=0.5A  
VCB=–10V, f=1MHz  
–6  
–3  
A
VCE(sat)  
fT  
–1.5max  
20typ  
IB  
V
MHz  
pF  
A
PC  
60(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
COB  
150typ  
Tj  
3
Tstg  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
to  
–55 +150  
to  
to  
to  
hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)  
1.05  
0.65  
1.4  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
–30  
10  
–3  
–10  
5
–0.3  
0.3  
0.18typ  
1.10typ 0.21typ  
b. Lot No.  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–6  
–6  
–4  
–2  
0
–3  
–4  
–2  
0
–2  
–50mA  
–30mA  
–20mA  
–1  
IB=–10mA  
IC=–6A  
–4A  
–2A  
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
0
–0.5  
–1.0  
–1.5  
0
–1  
–2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
5
1
300  
300  
125˚C  
25˚C  
Typ  
–30˚C  
100  
100  
50  
50  
30  
0.5  
0.3  
30  
–0.02  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5 –6  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
–0.02  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5 –6  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
60  
40  
20  
30  
20  
–20  
–10  
–5  
Typ  
100ms  
–1  
–0.5  
10  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
3.5  
0
0
0.02  
–0.1  
0.05 0.1  
0.5  
1
5 6  
–5  
–10  
–50  
–100  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
27  
1

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2SA1693 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SA1907 SANKEN

类似代替

 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
MJH16006A MOTOROLA

功能相似

 POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 500 VOLTS 150 WATTS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1693_07 SANKEN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
2SA1693_15 UTC

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 		SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1693G-O-T3P-T UTC

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 		Power Bipolar Transistor
2SA1693G-P-T3P-T UTC

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 		SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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