Datasheet > 2SA1682

2SA1682

更新时间： 2024-01-17 21:03:40

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		/
页数	文件大小	规格书
2页	103K
描述
High breakdown voltage. Small reverse transfer capacitance and excellent high

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1682 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.46
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz

2SA1682 数据手册

SMD Type

Transistors

Product specification

2SA1682

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

High breakdown voltage.

Small reverse transfer capacitance and excellent high

frequency chacateristic (Cre : 1.5pF typ).

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-300

Unit

-300

-5

-50

Collector current (pulse)

Collector dissipation

I^CP

-100

P^C

250

Jumction temperature

Storage temperature

T^j

150

T^stg

-55 to +150

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

下载PDF

与2SA1682相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1682-4	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-23VAR	获取价格
2SA1682-5	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-23VAR	获取价格
2SA1683	SANYO	High-Frequency General-Purpose Amp, High-Frequency Power Amp Applications	获取价格
2SA1683R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SPAK	获取价格
2SA1683S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SPAK	获取价格
2SA1683T	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SPAK	获取价格