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2SA1668

更新时间： 2024-09-25 07:29:43
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 29K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor

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2SA1668 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, FM20, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.25外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：200 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SA1668 数据手册

  
2 S A1 6 6 7 /1 6 6 8  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC4381/4382)  
Application : TV Vertical Output, Audio Output Driver and General Purpose  
■Absolute maximum ratings  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
External Dimensions FM20 (TO220F)  
Ratings  
Ratings  
Symbol  
Unit  
Conditions  
Symbol  
Unit  
±0.2  
2SA1667 2SA1668  
4.2  
2SA1667 2SA1668  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
–150  
–150  
–200  
–200  
V
V
–10max  
–150  
–10max  
–200  
µA  
V
ICBO  
VCB=  
–6  
–2  
–1  
V
IEBO  
VEB=–6V  
–10max  
µA  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–25mA  
–150min  
–200min  
A
IB  
VCE=–10V, IC=–0.7A  
IC=–0.7A, IB=–0.07A  
VCE=–12V, IE=0.2A  
VCB=–10V, f=1MHz  
A
60min  
PC  
25(Tc=25°C)  
150  
VCE(sat)  
fT  
W
°C  
°C  
–1.0max  
20typ  
V
MHz  
pF  
±0.15  
1.35  
Tj  
±0.15  
1.35  
Tstg  
to  
–55 +150  
COB  
60typ  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
Weight : Approx 2.0g  
a. Part No.  
b. Lot No.  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(mA)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
–20  
20  
–1  
–10  
5
–100  
100  
0.4typ  
1.5typ  
0.5typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–10V)  
–2.0  
–1.6  
–3  
–2  
–1.6  
–1.2  
–0.8  
–0.4  
0
–2  
–1.2  
–0.8  
–0.4  
0
IB=–5mA/Step  
–1  
IC=–2A  
0
0
–2  
–4  
–6  
–8  
–10  
–2  
–10  
–100  
–1000  
0
–0.2  
–0.4  
–0.6  
–0.8  
–1.0  
–1.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
(VCE=–10V)  
(VCE=–10V)  
5
400  
400  
125˚C  
25˚C  
Typ  
–30˚C  
100  
100  
40  
1
30  
–0.01  
0.5  
1
10  
100  
1000  
–0.01  
–0.1  
Collector Current IC(A)  
–1  
–2  
–0.1  
–1  
–2  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
–
Safe Operating Area (Single Pulse)  
fT IE Characteristics (Typical)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
25  
20  
50  
40  
30  
20  
10  
0
–5  
–1  
Natural Cooling  
Silicone Grease  
Heatsink: Aluminum  
in mm  
Typ  
150x150x2  
100x  
10  
–0.1  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
1.2SA1667  
50x50x2  
2.2SA1668  
Without Heatsink  
2
0
1
2
–0.01  
–1  
–10  
–100  
–300  
0.01  
0.1  
Emitter Current IE(A)  
1
2
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
25  
1

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