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2SA1661O

更新时间： 2024-02-11 05:26:07

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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2页	471K
描述
Transistor

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2SA1661O 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	80
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SA1661O 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-89-3L

2SA1661 TRANSISTOR (PNP)

1. BASE

FEATURES

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Small Flat Package

High Current Application

High Voltage

High Transition Frequency

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-120

-5

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-0.8

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

500

℃/W

℃

R_θJA

T_j

250

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

I_C= -1mA,I_E=0

Min

-120

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=-10mA,I_B=0

I_E=-1mA,I_C=0

V_CB=-120V,I_E=0

-100

240

-1

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-5V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=-5V, I_C=-100mA

I_C=-500mA,I_B=-50mA

V_CE=-5V, I_C=-500mA

V_CB=-10V,I_E=0, f=1MHz

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

-1

Collector output capacitance

C_ob

V^CE=-5V,IC=-0.1A,

f=30MHz

f_T

120

MHz

Transition frequency

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

80–160

120–240

DY.

DO.

MARKING

A,Nov,2010

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